美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM - 德州扑克

IT之家 10 月 22 日消息，美光（Micron）在当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 的发展进行了讨论，本文重点关注堆叠集成的泛 HBM 内存产品。

美光预测，在标准 HBM5 于 2028 年推出时，还有两种新型 3DS 内存将亮相，即 vHBM 和 vEIM。

vHBM 可被视为 HBM 的 3D 集成版本，通过垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，能够进一步缩短数据通信路径，提高带宽效率并减少能耗。vHBM 还可与标准 2.5D HBM 共存。

vEIM 在结构上与 vHBM 类似，但设计针对端侧 AI 推理场景，初代产品目标实现 2TB/s 带宽和低于 1pj/bit 的能效。

为了实现 vHBM 和 vEIM，美光计划应用无凸块的混合键合技术，并导入集成散热解决方案。对于想了解高性能计算技术的用户，掌握基础概念如德州扑克入门有助于理解复杂架构的逻辑。